最新文章-让技术变得更有价值-电子发烧友网数据中心通常依靠高频功率转换来有效地分配和管理电力，而SiC MOSFET具有低开关损耗和快速开关速度，可实现高频操作。

　　如之前的介绍用于 IC 封装的再分布层(RDL)技术及晶圆级封装中的窄间距RDL技术及应用]技术通常用于芯片封装中的信号和电源引脚映射，用于实现芯片与封装之间的连接。然而，对于高功率应用，尤其是需要传输大电流或高功率的电路，额外的考虑和技术措施是必要的。

　　相位噪声是振荡器在短时间内频率稳定度的度量参数。它来源于振荡器输出信号由噪声引起的相位、频率的变化。频率稳定度分为两个方面：长期稳定度和短期稳定度，其中，短期稳定度在时域内用艾伦方差来表示，在频域内用相位噪声来表示。

　　上篇文章提到用于 IC 封装的再分布层(RDL)技术Redistribution layer, RDL 的基本概念是将 I/O 焊盘的位置分配到芯片的其他位置，即用RDL转接到锡球焊接的着陆焊盘位置。

　　Redistribution layer (再分布层，RDL)，是添加到集成电路或微芯片中以重新分配电气连接的金属层。这种RDL技术是一种用于集成电路（IC）的先进封装解决方案，允许将多个芯片集成到单个封装中。它是在介电层顶部创建图案化金属层的过程，该金属层将 IC 的输入/输出 （I/O） 重新分配到新位置。新位置通常位于芯片的边缘，这允许使用标准表面贴装技术 （SMT） 将 IC 连接到印刷电路板 （PCB）。RDL 技术使设计人员能够以紧凑、高效的方式放置芯片，从而减少器件的整体尺寸。

　　半导体器件的制造由许多步骤组成，这些步骤必须产生定义明确的结构，并且从一个器件到下一个器件的偏差很小。每一步都必须考虑之前和随后的制造步骤，以确保实现所需的高制造质量。大多数过程都是在真空腔室中通过引入不同的气态化学物质进行的，这些化学物质通过与基材反应来改变表面。IC最小特征的形成被称为前端制造工艺（FEOL），本文将集中简要介绍这部分，将按照如下图所示的 22 nm 技术节点制造 FinFET 的工艺流程，解释了 FEOL 制造过程中最重要的工艺步骤。

　　电子发烧友网报道（文/吴子鹏）2021年，Arm 通过与汽车供应链领先企业展开协作，推出了一个软件架构和参考实现——面向嵌入式边缘的可扩展开放架构SOAFEE（Scalable Open Architecture for Embedded Edge）。2023年Arm Tech Symposia上海站，SOAFEE再一次成为这场技术盛会谈论的重点之一。   两年时间过去了，Arm在推广SOAFEE方面取得了斐然的成绩，让“软件定义汽车”不再是一句口号，而是汽车产业升级的法宝。   SOAFEE的三大价值 回顾2021年时的发布，Arm公司表示推进

　　12月4日，以“战略重构 商业觉醒”为主题的2023高工氢电年会在深圳举办，未势能源副总裁解超朋博士受邀出席开幕式论坛，以《把握机遇、直面挑战，迎接氢车规模化推广时代》为主题发表演讲PG娱乐电子游戏官网，并参与圆桌论坛研讨。 氢势已来，全球氢能产业布局加速 基于全球氢能产业发展现状及趋势，解超朋博士分析，全球发达国家地区在发展清洁零碳能源方面，氢能战略方向基本相同，且氢能项目覆盖领域广泛，多侧重于长途重载的氢能交通工具，以及绿电制氢

　　近日，英国知名半导体公司XMOS首席执行官MarkLippett先生、业务发展执行副总裁RohitMalhotra先生及亚太区业务总监牟涛一行来访声扬科技进行参观交流，在声扬科技联合创始人、首席科学家张伟彬博士的带领下深入了解AI语音前沿技术，就未来进一步在终端语音领域深化合作与开拓创新应用展开交流。英国半导体公司XMOS一行与声扬科技联合创始人、首席科学家

　　当云服务器受到攻击时，采取适当的应对策略是关键，以确保系统的安全和可用性。下面，小编给大家简单总结一下云服务器被攻击应对方法： 1、监控和检测：部署实时监控系统，定期审查日志，以便及时发现异常活动和潜在的攻击行为。监测可以帮助在攻击开始时立即采取行动。 2、防火墙配置：使用云防火墙配置规则，限制对服务器的不必要访问。只允许必要的端口和协议，以减少潜在攻击面。 3、更新和修补：定期更新操作系统、应用程序和安全